特許
J-GLOBAL ID:200903007728852283

測定方法及び装置並びに半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 北野 好人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-149098
公開番号(公開出願番号):特開平9-005124
出願日: 1995年06月15日
公開日(公表日): 1997年01月10日
要約:
【要約】【目的】 周囲の環境の影響を受けにくく、容易に光路を変更することができる測定方法及び装置を提供する。【構成】 チャンバ12内の被測定物10に可干渉性の光を照射して、被測定物10の物理量を測定する。可干渉性の光を出力し、被測定物10に照射する照射手段16、20と、被測定物10の透過光又は反射光の干渉光強度から物理量を測定する測定手段22、26、28とが設けられている。可干渉性の光が透過する物質からなり、照射手段16、20から照射光、被測定物10の透過光又は反射光の光路の一部を形成する測定光路部材30を、被測定物10が載置されるチャンバ12に挿入する。
請求項(抜粋):
被測定物に可干渉性の光を照射して、前記被測定物の透過光又は反射光の干渉光強度から物理量を測定する測定方法において、前記被測定物が載置されるチャンバ内に、前記可干渉性の光が透過する物質からなる測定光路部材を挿入し、前記被測定物への照射光、前記被測定物の透過光又は反射光は、前記測定光路部材を透過することを特徴とする測定方法。
IPC (4件):
G01D 21/00 ,  G01K 5/52 ,  G01K 11/12 ,  H01L 21/66
FI (5件):
G01D 21/00 M ,  G01K 5/52 ,  G01K 11/12 C ,  G01K 11/12 D ,  H01L 21/66 T
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 半導体装置製造プロセス制御用センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-347233   出願人:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
  • 基板温度の測定方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-048141   出願人:富士通株式会社
  • 基板温度のモニタ方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-281249   出願人:株式会社日立製作所
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