特許
J-GLOBAL ID：200903007767639490
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-355809
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209309
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 異常形態の酸化膜の形成を防止して、安定した形態のフラッシュEEPROMの誘電膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 半導体基板20の活性領域上に、第1ポリシリコン膜21、第1誘電膜22,23,24および第2ポリシリコン膜25を順に形成する段階と、上記第2ポリシリコン膜、第1誘電膜および第1ポリシリコン膜を同一な寸法でパターニングする段階と、後続の熱酸化処理により上記第1ポリシリコン膜21の側壁に第2誘電膜26の成長を促進させるために、湿式エッチングにより上記第1誘電膜の側壁に曲面を形成する段階と、上記パターニングした第1ポリシリコン膜21と第1誘電膜および第2ポリシリコン膜25の露出した表面に、熱酸化処理により、第2誘電膜26を形成する段階と、を具備する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の活性領域上に、第1ポリシリコン膜、第1誘電膜および第2ポリシリコン膜を、順に形成する段階と、上記第2ポリシリコン膜、第1誘電膜および第1ポリシリコン膜を、同一な寸法でパターニングする段階と、後続の熱酸化処理により上記第1ポリシリコン膜の側壁に第2誘電膜の成長を促進させるために、湿式エッチングにより上記第1誘電膜の側壁に曲面を形成する段階と、上記パターニングした第1ポリシリコン膜と第1誘電膜および第2ポリシリコン膜の露出した表面に、熱酸化処理により、第2誘電膜を形成する段階と、を具備してなる半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/316
, H01L 21/318
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 21/316 M
, H01L 21/318 B
, H01L 27/10 434
