特許
J-GLOBAL ID:200903007767799071
有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡辺 喜平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-025322
公開番号(公開出願番号):特開2000-223276
出願日: 1999年02月02日
公開日(公表日): 2000年08月11日
要約:
【要約】【課題】 取り出せる光量が多い一方、駆動電圧が低くても、発光輝度が高く、しかも、耐久性に優れた有機EL素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 少なくとも陽極層、正孔注入層、有機発光層および陰極層を順次に積層した構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層をn型無機半導体材料から構成するとともに、前記正孔注入層のフェルミエネルギーをΦh、前記陽極層のフェルミエネルギーをΦaとしたときに、Φh>Φaの関係を満足し、かつ、n型無機半導体材料の吸収係数を1×104cm-1以下の値とする。
請求項(抜粋):
少なくとも陽極層、正孔注入層、有機発光層および陰極層を順次に積層した構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層をn型無機半導体材料から構成するとともに、前記正孔注入層のフェルミエネルギーをΦh、前記陽極層のフェルミエネルギーをΦaとしたときに、Φh>Φaの関係を満足し、かつ、前記n型無機半導体材料の吸収係数を1×104cm-1以下の値とすることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (4件):
H05B 33/22
, C23C 14/22
, H05B 33/10
, H05B 33/14
FI (5件):
H05B 33/22 C
, H05B 33/22 A
, C23C 14/22 C
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
Fターム (26件):
3K007AB00
, 3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB06
, 3K007AB13
, 3K007BB01
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007EB05
, 3K007EC00
, 3K007FA01
, 3K007FA03
, 4K029AA09
, 4K029BA03
, 4K029BA43
, 4K029BA50
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029CA01
, 4K029CA05
, 4K029DB06
, 4K029DC05
, 4K029DC35
引用特許:
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