特許
J-GLOBAL ID：200903007786081688
気相成長装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-242166
公開番号（公開出願番号）：特開2008-066490
出願日： 2006年09月06日
公開日（公表日）： 2008年03月21日
要約：
【課題】ハイドライド気相成長装置において、大口径または多数枚のサファイア基板上にGaN膜を均一に効率的に製膜することを可能にする。【解決手段】気相成長装置10は、第1の反応部20、第2の反応部30、および減圧装置40を備える。第1の反応部20において、III族金属のGaメタルと、塩化物のHClとが反応し、反応生成物としてGaCl3ガスが生じる。生成したGaCl3ガスは、第1の反応部20に接続されたIII族ハロゲン化物供給管50を通じて、第2の反応部30に供給され、NH3ガスと反応することにより、第2の反応部30に設けられた基板35の上にGaN膜が気相成長する。III族ハロゲン化物供給管50には、開口面積が調整可能な圧力調整器52が設けられている。圧力調整器52により、第2の反応部30の圧力P2が第1の反応部20の圧力P1より低くなるように調整される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III族金属および塩化物ガスが供給され、前記III族金属と前記塩化物ガスとが反応する第1の反応部と、
前記第1の反応部で発生した反応生成物、およびV族元素を含むハイドライドガスが供給される第2の反応部であって、
前記反応生成物と前記ハイドライドガスとの反応によって生じるIII-V族結晶を成長させる基板を保持するための基板保持部を有する第2の反応部と、
前記基板に前記III-V族結晶を成長させる際に、前記第2の反応部の圧力を前記第1の反応部の圧力より低くするための圧力調整手段と、
を備えることを特徴とする気相成長装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F045AA03
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC03
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045AD14
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045BB01
, 5F045EB02
, 5F045EE17
, 5F045EE20
, 5F045EF01
