特許
J-GLOBAL ID:200903007786081688

気相成長装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森下 賢樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-242166
公開番号(公開出願番号):特開2008-066490
出願日: 2006年09月06日
公開日(公表日): 2008年03月21日
要約:
【課題】ハイドライド気相成長装置において、大口径または多数枚のサファイア基板上にGaN膜を均一に効率的に製膜することを可能にする。【解決手段】気相成長装置10は、第1の反応部20、第2の反応部30、および減圧装置40を備える。第1の反応部20において、III族金属のGaメタルと、塩化物のHClとが反応し、反応生成物としてGaCl3ガスが生じる。生成したGaCl3ガスは、第1の反応部20に接続されたIII族ハロゲン化物供給管50を通じて、第2の反応部30に供給され、NH3ガスと反応することにより、第2の反応部30に設けられた基板35の上にGaN膜が気相成長する。III族ハロゲン化物供給管50には、開口面積が調整可能な圧力調整器52が設けられている。圧力調整器52により、第2の反応部30の圧力P2が第1の反応部20の圧力P1より低くなるように調整される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
III族金属および塩化物ガスが供給され、前記III族金属と前記塩化物ガスとが反応する第1の反応部と、 前記第1の反応部で発生した反応生成物、およびV族元素を含むハイドライドガスが供給される第2の反応部であって、 前記反応生成物と前記ハイドライドガスとの反応によって生じるIII-V族結晶を成長させる基板を保持するための基板保持部を有する第2の反応部と、 前記基板に前記III-V族結晶を成長させる際に、前記第2の反応部の圧力を前記第1の反応部の圧力より低くするための圧力調整手段と、 を備えることを特徴とする気相成長装置。
IPC (1件):
H01L 21/205
FI (1件):
H01L21/205
Fターム (15件):
5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB01 ,  5F045EB02 ,  5F045EE17 ,  5F045EE20 ,  5F045EF01
引用特許:
出願人引用 (2件)

前のページに戻る