GaN系化合物半導体結晶の結晶成長装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-109699
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305155
出願日： 2001年04月09日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥が少ないGaN系化合物半導体単結晶を長期間にわたって歩留まりよく製造できる結晶成長装置を提供する。【解決手段】密閉可能で耐熱性を有する結晶成長容器と、前記結晶成長容器内に配置される基板保持具と、原料ガスを前記結晶成長容器内に導入する第1の導入管と、前記基板保持具の近傍まで延設されNH3ガスを前記結晶成長容器内の基板保持具付近に導入する第2の導入管と、結晶成長温度を制御する温度制御手段と、を少なくとも具備し、前記Ga原料ガスと前記NH3ガスを反応させて前記基板保持具により保持された基板上にGaN系化合物半導体結晶を気相成長させる結晶成長装置において、生成されたGaN系化合物に曝される部位、例えば前記基板近傍に位置する前記第2の導入管の少なくともノズル部分を構成する物質は、熱膨張係数がGaNの熱膨張係数の1/5から5倍の範囲にあり、かつ融点が1300°C以上であるように、望ましくは、熱膨張係数がGaNの熱膨張係数の1/3から3倍の範囲にあり、かつ融点が1500°C以上であるようにした。

請求項（抜粋）：

密閉可能で耐熱性を有する結晶成長容器と、前記結晶成長容器内に配置される基板保持具と、原料ガスを前記結晶成長容器内に導入する第1の導入管と、前記基板保持具の近傍まで延設されNH3ガスを前記結晶成長容器内の基板保持具付近に導入する第2の導入管と、結晶成長温度を制御する温度制御手段と、を少なくとも具備し、前記Ga原料ガスと前記NH3ガスを反応させて前記基板保持具により保持された基板上にGaN系化合物半導体結晶を気相成長させる結晶成長装置において、生成されたGaN系化合物に曝される部位を構成する物質は、熱膨張係数がGaNの熱膨張係数の1/5から5倍の範囲にあり、かつ融点が1300°C以上であることを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の結晶成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38

FI (2件)：

H01L 21/205 , C30B 29/38 D

Fターム (22件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB01 , 4G077EG23 , 4G077EG25 , 4G077TD01 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045BB10 , 5F045BB12 , 5F045DQ06 , 5F045DQ08 , 5F045EB13 , 5F045EE12 , 5F045EF11 , 5F045EK06

引用特許：

審査官引用 (5件)

III-V族化合物半導体製造装置及びIII-V族化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-026180 出願人：シャープ株式会社, 大和半導体株式会社
窒化物系化合物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-166556 出願人：住友電気工業株式会社
特開昭62-153190

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