特許
J-GLOBAL ID：200903007786212065

半導体装置及びその製造方法

発明者：
下岡 義明

下岡 義明 について

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柴田 英毅

柴田 英毅 について

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宮島 秀史

宮島 秀史 について

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富岡 和広

富岡 和広 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-170820
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068851
出願日： 2002年06月12日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】 本発明は多層配線構造の層間絶縁膜に低誘電率絶縁膜を用いることができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 複数の配線層を有する半導体装置は、層状に形成された第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜上に形成された複数の配線を含む第1の配線層と、前記第1の配線層の上面または上方に形成された複数の配線を含む第2の配線層と、平面として形成された前記第1の絶縁膜および前記第1の配線層の上面に設けられ、前記第2の配線層における隣り合う配線と配線との間および前記第2の配線層における配線下側と前記第1の絶縁膜および前記第1の配線層との間に形成されて、少なくとも前記第1の配線層の配線と前記第2の配線層の配線との間の部分が前記第1の絶縁膜よりも低い比誘電率を有する第2の絶縁膜とを備える。
請求項（抜粋）：
複数の配線層を有する半導体装置であって、半導体基板上に形成された第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜に表面が前記第1の絶縁膜表面とほぼ同一表面となるように埋め込み形成された第1の配線層と、前記第1の絶縁膜及び前記第1の配線層上に設けられた第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜に表面が第2の絶縁膜表面とほぼ同一表面となるように埋め込み形成された第2の配線層とを備え、この第2の配線層をなす隣り合う2本の配線間の前記第2の絶縁膜の比誘電率が前記第1の絶縁膜の比誘電率よりも低いことを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 21/90 V ,  H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 P
Fターム (51件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM11 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033WW09 ,  5F033XX01 ,  5F033XX17 ,  5F033XX25
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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