特許

J-GLOBAL ID：200903007807940058

GaN膜生成方法及び半導体素子並びにIII族窒化物の薄膜生成方法及びIII族窒化物の薄膜を有する半導体素子

発明者： 藤岡 洋 ,  小林 篤
出願人/特許権者： 財団法人神奈川科学技術アカデミー ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (3件)： 小池 晃 ,  田村 榮一 ,  伊賀 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258571
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237556
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】結晶性の良いIII族窒化物を格子整合基板上に成長させる。【解決手段】GaN膜を有する窒化物半導体素子10は、表面が平坦化されたZnO基板11の表面上に、GaN層12が形成される。GaN層12は、300°C以下の温度でGaNをエピタキシャル成長させる第1の成膜工程と、上記第1の成膜工程により成膜されたGaN上に、550°C以上の温度でGaNをエピタキシャル成長させる第2の成膜工程とにより成膜される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaN膜を生成するGaN膜生成方法において、 表面が平坦化されたZnO基板の表面上に、300°C以下の温度でGaNをエピタキシャル成長させる第1の成膜工程と、 上記第1の成膜工程により成膜されたGaN上に、550°C以上の温度でGaNをエピタキシャル成長させる第2の成膜工程と を含むことを特徴とするGaN膜生成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/28 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (5件)：

H01L21/203 Z ,  C23C14/06 A ,  C23C14/28 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (26件)：

4K029AA04 ,  4K029BA58 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB20 ,  4K029EA08 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA67 ,  5F103AA10 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL01 ,  5F103NN01 ,  5F103RR05 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AH49 ,  5F173AQ05 ,  5F173AQ12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-256587   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-191323   出願人：豊田合成株式会社