チタンターゲット材用高純度チタン板およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田村弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210824
公開番号（公開出願番号）：特開2000-045067
出願日： 1998年07月27日
公開日（公表日）： 2000年02月15日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイス製造や液晶等の表示素子製造等において、スパッタリングにより形成したチタン膜の膜厚や配向性が均一となるよう、緻密な板面金属組織を有し、マクロ模様が均一なチタンターゲット材用高純度チタン板およびその製造方法。【解決手段】 L断面全板厚範囲の機械的双晶面積率が25%以上である冷延板。板面に平行な面でのコロニー面積率が10%未満である冷延焼鈍板。ロール回転数Rcをロール直径Dに応じ (1)式の範囲に制御し、圧下率6%以上で上記冷延板を製造する。スケール付きで冷延するのが好ましく、さらに大気中またはVCFで焼鈍したのちスケール付きで冷延することもできる。スケールを除去した冷延素材を、粒径dに応じて直径Dが (2)式の関係を満たすロールで冷延することもできる。また上記冷延板を大気中またはVCFで焼鈍することにより、上記冷延焼鈍板を製造する。

請求項（抜粋）：

冷間加工組織をなし、任意のL断面における全板厚断面の機械的双晶面積率が25%以上であることを特徴とするチタンターゲット材用高純度チタン板。

IPC (13件)：

C23C 14/34 , C22C 14/00 , C22F 1/18 , H01L 21/285 301 , C22F 1/00 601 , C22F 1/00 613 , C22F 1/00 623 , C22F 1/00 683 , C22F 1/00 684 , C22F 1/00 685 , C22F 1/00 686 , C22F 1/00 694 , C22F 1/00

FI (13件)：

C23C 14/34 A , C22C 14/00 Z , C22F 1/18 H , H01L 21/285 301 T , C22F 1/00 601 , C22F 1/00 613 , C22F 1/00 623 , C22F 1/00 683 , C22F 1/00 684 C , C22F 1/00 685 Z , C22F 1/00 686 Z , C22F 1/00 694 A , C22F 1/00 694 Z

Fターム (7件)：

4K029BA17 , 4K029BD01 , 4K029DC03 , 4K029DC07 , 4M104BB14 , 4M104DD40 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (2件)

チタンスパッタターゲット及びその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-502239 出願人：ジョンソンマッティーエレクトロニクスインコーポレイテッド
スパッタリングターゲット用チタンの製造方法およびその製造に用いるチタンスラブ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-077917 出願人：新日本製鐵株式会社

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