リッジウエーブガイド半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241636
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135879
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】光学的閉じ込めを与える自然酸化物層を有するリッジウエーブガイド半導体レーザを提供する。【解決手段】基板102と、前記基板102上に形成されるn型Al0.5In0.5P第一クラッド層104と、前記第一クラッド層104上に活性領域を形成するドープされないAl0.4Ga0.6As第一閉じ込め層106、GaAs活性層108、及びドープされないAl0.4Ga0.6As第二閉じ込め層110と、前記活性領域上に形成されるp型Al0.5In0.5P 第二クラッド層112から形成されるリッジウエーブガイ208ドであって、前記リッジウエーブガイド208が前記活性領域からの光放射に対して光学的閉じ込めを与え、前記リッジウエーブガイド208が溝204に形成される自然酸化物層206によって画定され、前記自然酸化物層206が前記第二クラッド層112及び前記活性領域から形成されるリッジウエーブガイド208と、前記活性領域のバイアスを可能にする第一及び第二電極216、218とを含む、リッジウエーブガイド半導体レーザ100を作製する。

請求項（抜粋）：

リッジウエーブガイド半導体レーザであり、基板と、前記基板上に形成されるn型Al0.5In0.5P 第一クラッド層と、前記第一クラッド層上に活性領域を形成するドープされないAl0.4Ga0.6As第一閉じ込め層、GaAs活性層、及びドープされないAl0.4Ga0.6As第二閉じ込め層と、前記活性領域上に形成されるp型Al0.5In0.5P 第二クラッド層から形成されるリッジウエーブガイドであって、前記リッジウエーブガイドが前記活性領域からの光放射に対して光学的閉じ込めを与え、前記リッジウエーブガイドが溝に形成される自然酸化物層によって画定され、前記自然酸化物層が前記第二クラッド層及び前記活性領域から形成されるリッジウエーブガイドと、前記活性領域のバイアスを可能にする第一及び第二電極とを含む、リッジウエーブガイド半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-125682
半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-021882 出願人：古河電気工業株式会社
特表平7-505503

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