特許
J-GLOBAL ID：200903007818495293
不揮発性ランダムアクセスメモリー装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277687
公開番号（公開出願番号）：特開平11-120758
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 記憶密度を大幅に高めることが可能で、読み取り時間の短縮や消費電力の削減が可能な新規なメモリー装置を提供する。【解決手段】 本発明の不揮発性ランダムアクセスメモリー装置は、スピン偏極した電子の注入によってメモリー状態が切り換えられるメモリーセルが配列されてなる。メモリーセルは、具体的には、例えば第1の強磁性層と第2の強磁性層とが常磁性層を介して積層されてなり、第1の強磁性層の磁化の向きが固定されるとともに、第2の強磁性層の磁化の向きによりメモリー状態が切り換えられる。すなわち、このメモリー装置は、磁気メモリーセル内に情報を記憶する新技術としてスピン分極電子流の伝搬理論を適用したものであり、メソスコピック多層金属デバイスのアレイで組立可能である。個々のセル内のメモリー状態は強磁性膜スイッチング層の面内における磁化の2つの安定した配向の1つに対応している。これらの状態は記憶セル内にスピン偏極した電子流を注入することによりスイッチング可能である。
請求項（抜粋）：
スピン偏極した電子の注入によってメモリー状態が切り換えられるメモリーセルが配列されてなる不揮発性ランダムアクセスメモリー装置。
引用特許：
引用文献：
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