特許
J-GLOBAL ID：200903015409987691
超高密度、不揮発性強磁性ランダム・アクセス・メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-510871
公開番号（公開出願番号）：特表平9-509775
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：
【要約】ランダム・アクセス・メモリ要素(100)は、巨大な磁性抵抗を利用する。この要素(100)は、非磁性導電層(108)を挟み込む少なくとも一対の強磁性層(106、110)を有する。その2つの強磁性層の内の少なくとも一つの層には、それ自体の平面の中で配向した磁気モーメントがある。少なくとも対の第1強磁性層の磁気モーメントには、それ自体の平面の中で配向した磁気モーメントがあり、通常、使用中の方向で固定されている。対の第2強磁性層には、第2強磁性層の平面の中に存在する場合もあれば、存在しない場合もある配向の少なくとも2つの望ましい方向を持つ1つの磁気モーメントを有している。メモリ要素のビットは、要素に対して、これらの望ましい配向の一方またはもう一方に第2強磁性層の磁気モーメントを配向する磁界を適用することにより設定することができる。設定値は、第1強磁性層および第2強磁性層の磁気モーメントの相対的な整列状態により決定される。
請求項（抜粋）：
不揮発性強磁性ランダム・アクセス・メモリ要素であって、(a)第1強磁性層および第2強磁性層があり、前記第1強磁性層および第2強磁性層の少なくとも一方が、同じ平面に磁気モーメントを持つ少なくとも1つの前記第1強磁性層および第2強磁性層と、(b)前記第1強磁性層と第2強磁性層の間に挟み込まれた非磁性金属層と、(c)前記強磁性ランダム・アクセス・メモリ要素の一端にある第1端非磁性導電体層と、(d)前記不揮発性強磁性ランダム・アクセス・メモリの反対側の端にある第2端非磁性導電体層と、(e)前記第1強磁性層および第2強磁性層の少なくとも1つの磁気モーメントに垂直であり、前記第1磁性層から前記非磁性金属層を通って前記第2磁性層まで電流を流すための導電性経路を限定する前記第1端導電体層および第2端導電体層と、を具備する不揮発性強磁性ランダム・アクセス・メモリ要素。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/14 F
, H01L 43/08 Z
