フォトレジスト・パターンの形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-031631
公開番号（公開出願番号）：特開2002-323773
出願日： 2002年02月08日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエーハなどの電子部品基板上のフォトレジスト・パターンを現像する装置および方法を提供する。【解決手段】特定の現像液組成物と、特定のリンス液組成物とを順次用いて、露光したフォトレジスト・パターンを現像し、次いで現像したパターンをリンスする。現像液組成物およびリンス液組成物はどちらもアニオン界面活性剤を含んでおり、これらの溶液を順次用いると、約3を超えるアスペクト比で線幅150nm未満などの小さいフィーチャを形成するときでも、パターンの崩れが防止されたレジスト・パターンが得られる。好ましいアニオン界面活性剤は、ペルフルオロアルキルスルホン酸アンモニウムおよびペルフルオロアルキルカルボン酸アンモニウムである。

請求項（抜粋）：

フォトレジスト・パターンを形成する方法であって、電子部品基板上にフォトレジスト膜をコーティングするステップと、前記フォトレジスト膜を所定のパターンに露光するステップと、露光した前記フォトレジスト膜に現像液組成物を供給して、フォトレジスト・パターンを現像するステップであって、前記現像液組成物が、前記フォトレジスト・パターンの崩れを防止するのに十分な量のアニオン界面活性剤を含んでいるステップと、前記フォトレジスト膜を現像して、所定の前記フォトレジスト・パターンを形成し、前記基板を濡れた状態に保つステップと、現像し、濡れた状態の前記基板上にリンス水溶液を供給するステップであって、前記リンス水溶液が、前記フォトレジスト・パターンの崩れを防止するのに十分な量のアニオン界面活性剤を含むステップと、現像した前記基板をリンスするステップと、現像した前記基板を乾燥して、所定のフォトレジスト・パターンを有する電子部品基板を形成するステップとを含む方法。

IPC (4件)：

G03F 7/32 , B05D 1/02 , B05D 7/00 , H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/32 , B05D 1/02 Z , B05D 7/00 H , H01L 21/30 569 F , H01L 21/30 569 E

Fターム (20件)：

2H096AA25 , 2H096GA11 , 2H096GA18 , 2H096GA20 , 2H096GA30 , 4D075AA01 , 4D075BB24Z , 4D075BB57Z , 4D075BB60Y , 4D075CA22 , 4D075DA06 , 4D075DB11 , 4D075DC22 , 4D075EA05 , 4D075EA45 , 4D075EC35 , 5F046LA03 , 5F046LA04 , 5F046LA12 , 5F046LA14

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭59-142547
特開昭59-142547
レジストリンス液、及びレジスト現像処理法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-146137 出願人：日本電信電話株式会社

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