配線基板材料と配線基板

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090209
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286523
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】別途コンデンサ等の別部品を接続することなくバックアップ用の電気容量を設けて、省スペース化,小型化を図る。【解決手段】平行な銅箔1a,1bの間に誘電体2を介在させて形成した電気容量を有する配線基板材料を構成する。

請求項（抜粋）：

互いに平行な1対の銅箔の間に、誘電体を介在させたことを特徴とする配線基板材料。

IPC (4件)：

H05K 1/16 , C23C 14/24 , C23C 14/34 , H05K 3/46

FI (4件)：

H05K 1/16 D , C23C 14/24 N , C23C 14/34 N , H05K 3/46 Q

Fターム (34件)：

4E351AA01 , 4E351AA06 , 4E351BB03 , 4E351BB26 , 4E351BB27 , 4E351BB31 , 4E351BB43 , 4E351CC01 , 4E351CC05 , 4E351CC11 , 4E351DD04 , 4E351DD41 , 4E351EE01 , 4E351GG11 , 4K029AA02 , 4K029AA25 , 4K029BC00 , 4K029BD00 , 4K029BD02 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 5E346AA13 , 5E346AA15 , 5E346AA35 , 5E346BB02 , 5E346BB03 , 5E346BB04 , 5E346BB07 , 5E346BB11 , 5E346CC21 , 5E346CC32 , 5E346DD12 , 5E346HH22 , 5E346HH25

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭62-265795
特開平1-166599
低温焼成セラミック誘電体及び低温焼成セラミック多層回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-064201 出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス

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審査官引用 (5件)

特開昭62-265795
薄膜構成体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-139152 出願人：富士通株式会社
特開平1-166599

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