特許
J-GLOBAL ID：200903007848284815

半導体装置

発明者：
細川 英治

細川 英治 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-087583
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296815
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】フルモールド形の半導体装置をトランスファー成形する時、樹脂注入ゲートより注入された樹脂は、部品搭載基板を基準として、部品搭載側の方が反対側より速く流れる。そのため、樹脂注入ゲートと反対側にあるエアーベントを通り越して、反部品搭載側を流れてきた樹脂と接するまで逆流する。この結果エアーベントがふさがれた状況となり、反部品搭載側にウエルドマーク、モールド樹脂の未充填部またはボイドが発生する。また樹脂スピードが速いため、内部で接続をしているワイヤの変形や倒れが発生することがある。【解決手段】電子部品搭載基板上の部品配置設計により、トランスファー成形時の基板の上金型側樹脂速度を調整するようにして、下金型側に注入された樹脂速度に近くなるようにして、上記問題を防止する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
部品搭載基板を有し、該部品搭載基板の部品搭載側の樹脂厚が厚く、反対側の樹脂圧が薄いフルモールド形半導体装置であって、複数の電子部品の前記部品搭載基板上の配置において、前記複数の電子部品の側面のうち最も樹脂の流れに対する抵抗が大きくなるものを、注入された前記樹脂の流れる方向に対し、直角になるように前記複数の電子部品を配置したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L23/28 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18
FI (2件)：
H01L23/28 E ,  H01L25/04 Z
Fターム (4件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109GA02
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-049260   出願人：日立マクセル株式会社
  • マルチチップパッケージの構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-025570   出願人：セイコーエプソン株式会社

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