特許

J-GLOBAL ID：200903007856036588

トレンチ形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 山本 裕久
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-215390
公開番号（公開出願番号）：特開2007-035823
出願日： 2005年07月26日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：

【課題】 トレンチの肩部を十分に後退させ、かつ角部を十分に丸めて開口部を広げ、トレンチ内に充填される絶縁体の良好な埋め込み特性を実現させ、また、トレンチの微細化とMOSトランジスタの必要な電流能力の担保とを両立させる。【解決手段】 ジクロロエチレン(DCE)を用いたハロゲン酸化法等を用いて異方性酸化を実施し、トレンチ22の肩部の膜厚が厚く、底部に至るにつれて膜厚が漸次薄くなる異方性酸化膜26を形成した後、その異方性酸化膜26を除去して、トレンチの肩部を優先的に後退させ、かつ角部を十分に丸め、開口部を広くする。また、トレンチ肩部の丸められた部分の近傍も、MOSトランジスタのチャネルとして利用することにより、チャネルコンダクタンスを大きくしてMOSトランジスタの電流能力を増大させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にエッチングマスクを形成する第1の工程と、 前記半導体基板の一部をエッチングしてトレンチを形成する第2の工程と、 前記トレンチの内表面に対して異方性をもつ酸化を実施し、前記トレンチの肩部の酸化膜の厚さが前記トレンチ内の他の部分の厚さよりも厚い、局部的に厚さの異なる犠牲酸化膜を形成する第3の工程と、 前記犠牲酸化膜を除去し、これによって、前記トレンチの肩部を優先的に後退させてトレンチの開口を広げると共に、その肩部の形状の丸めを行う第4の工程と、 を含むことを特徴とするトレンチ形成方法。

IPC (12件)：

H01L 21/76 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/11 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (12件)：

H01L21/76 L ,  H01L29/78 301R ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 381 ,  H01L27/10 625B ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 301K ,  H01L27/06 311C ,  H01L27/04 H

Fターム (94件)：

5F032AA35 ,  5F032AA36 ,  5F032AA37 ,  5F032AA39 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA70 ,  5F032AA77 ,  5F032BA01 ,  5F032BA05 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78 ,  5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AZ10 ,  5F038BH02 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA01 ,  5F048AA02 ,  5F048AA04 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB03 ,  5F048BB06 ,  5F048BB08 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BD02 ,  5F048BE02 ,  5F048BE03 ,  5F048BG13 ,  5F048CC08 ,  5F048CC15 ,  5F048CC18 ,  5F083AD01 ,  5F083AD16 ,  5F083BS27 ,  5F083BS37 ,  5F083BS50 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP24 ,  5F083EP30 ,  5F083EP32 ,  5F083ER22 ,  5F083NA01 ,  5F101BA01 ,  5F101BB02 ,  5F101BB04 ,  5F101BB09 ,  5F101BD13 ,  5F101BD22 ,  5F101BD35 ,  5F101BE07 ,  5F140AA05 ,  5F140AA31 ,  5F140AB06 ,  5F140AB10 ,  5F140AC23 ,  5F140AC32 ,  5F140AC39 ,  5F140BB03 ,  5F140BB05 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF44 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CB10 ,  5F140CE07 ,  5F140DA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 素子分離用Siシャロートレンチエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-104786   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体基板の酸化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-016968   出願人：エルピーダメモリ株式会社

審査官引用 (3件)

• トレンチ分離構造を備えた半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-132205   出願人：三菱電機株式会社
• 素子分離用Siシャロートレンチエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-104786   出願人：日本電気株式会社
• 浅いトレンチ(STI)プロセスにおけるトレンチ拡散コーナの丸め
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-547646   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ