特許
J-GLOBAL ID：200903007913670965

バンプ付き半導体装置およびその製造方法

発明者：
天野 彰

天野 彰 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006098
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195397
出願日： 1995年01月19日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【目的】バンプ付き半導体装置において、多数の大きなバンプを簡単な製造方法で作る。【構成】半導体の主面の電極部に、弾性率の小さい物質からなる凸状体と、その凸状体を覆う弾性率の大きい金属膜からなる複合バンプを設ける。特に、凸状体をポリイミド樹脂で形成し、Al-Si合金膜で覆う。電流容量の大きな半導体装置の広い電極には多数の複合バンプを形成する。また複合バンプの上に電極板を加圧接触することもできる。
請求項（抜粋）：
半導体の一方の主面の電極部に、弾性率の小さい物質からなる凸状体と、弾性率が大きく、膨張係数の近い金属膜でその凸状体を覆つた複合バンプを有することを特徴とするバンプ付き半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/321 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/60 301
FI (2件)：
H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 604 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM