特許

J-GLOBAL ID：200903021551039024

複合バンプ構造体とその製造方法

発明者： 張 世 明 ,  李 育 奇 ,  游 秀 美 ,  リ-フイ・ヤン ,  ジュオ-フエイ・ジョウ
出願人/特許権者： 財団法人工業技術研究院
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-149582
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017837
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 複合バンプ構造体とその形成方法を提供すること。【構成】 この複合バンプ構造体は集積回路要素又は基板30の入出力パッド26に形成された導電性金属被膜36によって覆われた、金属に比べて比較的低いヤング率を有するポリマー体32を含む。この複合バンプは物質付着方法、リトグラフィー方法及びエッチング方法を用いて形成される。その後の加工のために望ましい場合には、複合バンプ上にはんだ金属層を形成することができる。

請求項（抜粋）：

入出力パッドを備えた集積回路要素又は基板と;前記入出力パッド上に形成された導電性金属被膜によって覆われたポリマー体から形成される複合バンプとを含む複合バンプ構造体。

IPC (4件)：

H01L 21/321 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/34 505

FI (3件)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 D ,  H01L 21/92 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 突起電極の構造および突起電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-249163   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭58-015252
  
• 半導体装置の電極形成方法と実装体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-300124   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の突起電極構造およびその突起電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-029088   出願人：カシオ計算機株式会社