特許

J-GLOBAL ID：200903007942322828

埋め込み配線の形成方法

発明者： 菊田 邦子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-248350
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077416
出願日： 1998年09月02日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 デュアルダマシン法により、良好な埋め込み配線を形成する方法を提供する。【解決手段】 本方法は、デュアルダマシン構造を備えた埋め込み配線の形成方法であって、平坦に形成された下層配線30上に、順次、下部層間絶縁膜32、エッチングストリッパ層34、及び上部層間絶縁膜36を成膜する工程と、上部層間絶縁膜を貫通してエッチングストリッパ層に達する配線溝38を開口する工程と、上部層間絶縁膜上に高濃度に不純物でドープしたドープド酸化膜40を成膜してドープド酸化膜で配線溝を埋め込み、かつドープド酸化膜を平坦化する工程と、ドープド酸化膜、エッチングストリッパ層及び下部層間絶縁膜を貫通して下層配線に達するビアホール42を開口する工程と、ドープド酸化膜をウエットエッチングにより除去し、ビアホールとビアホールに連通した配線溝からなるデュアルダマシン構造を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

デュアルダマシン構造を備えた埋め込み配線の形成方法であって、下層配線上に、順次、下部層間絶縁膜、エッチングストッパ層、及び上部層間絶縁膜を成膜する工程と、上部層間絶縁膜を貫通してエッチングストッパ層に達する配線溝を開口する工程と、上部層間絶縁膜上に高濃度に不純物でドープしたドープド酸化膜を成膜してドープド酸化膜で配線溝を埋め込み、かつドープド酸化膜を平坦化する工程と、ドープド酸化膜、エッチングストッパ層、及び下部層間絶縁膜を貫通して下層配線に達するコンタクトホールを開口する工程と、ドープド酸化膜をウエットエッチングにより除去し、コンタクトホールとコンタクトホールに連通した配線溝からなるデュアルダマシン構造を形成する工程とを有することを特徴とする埋め込み配線の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 C ,  H01L 21/90 B

Fターム (17件)：

5F033AA02 ,  5F033AA03 ,  5F033AA12 ,  5F033AA13 ,  5F033AA19 ,  5F033AA23 ,  5F033AA29 ,  5F033AA64 ,  5F033AA66 ,  5F033BA15 ,  5F033BA25 ,  5F033BA26 ,  5F033BA37 ,  5F033EA05 ,  5F033EA26 ,  5F033EA28 ,  5F033EA32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-178429   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-348306   出願人：日本電気株式会社