特許

J-GLOBAL ID：200903007944482059

超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜

発明者： 高野 義彦 ,  長尾 雅則 ,  立木 実 ,  川原田 洋 ,  梅沢 仁 ,  小林 健作
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-148794
公開番号（公開出願番号）：特開2006-009147
出願日： 2005年05月20日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】実際の電気、電子デバイスへの適用のための超電導性を示すダイヤモンド薄膜を提供する。【解決手段】化学気相成長法により形成された超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜。このホウ素ドープダイヤモンド薄膜は、磁化-磁場曲線より典型的な第二種超電導体の性質を示した。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

化学気相成長法により形成された超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜。

IPC (3件)：

C23C 16/27 ,  C01B 31/06 ,  H01B 12/06

FI (3件)：

C23C16/27 ,  C01B31/06 A ,  H01B12/06

Fターム (27件)：

4G146AA04 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AC17B ,  4G146AC20B ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA14 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC33B ,  4K030AA07 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA26 ,  4K030BA27 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030LA03 ,  5G321AA98 ,  5G321CA02 ,  5G321CA24 ,  5G321DD99