特許
J-GLOBAL ID：200903007977437601
荷電粒子ビーム描画方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-135553
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332203
出願日： 2002年05月10日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】【課題】 近接効果補正にプラスして、パターン描画の更なる微小化に対応することができる荷電粒子ビーム描画方法を実現する。【解決手段】 計算されたパターン面積に基づき、あらかじめ求めてあるパターン面積率対線幅補正量の換算式によって求めた線幅補正量(ローディング補正量)から、電子ビームのショット時間の補正時間を求める。なお、線幅補正量に対する電子ビームのショット時間の補正時間との関係はあらかじめ求められている。補正時間は、各ユニットごとに演算により求められ、この求められた補正時間から、ローディング効果による線幅変化を補正するだけの蓄積散乱電子量を与える大きさの擬似パターンデータを作成する。この擬似パターンデータは、実パターンデータに追加されるが、この擬似パターンは、近接効果補正量の計算のために使用され、実際にはショットされないように擬似パターンデータには特殊なコマンドが付加されている。
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームを描画すべきパターンデータに応じて被描画材料にショットし、被描画材料上に所望パターンの描画を行うと共に、描画領域を仮想的に分割し、分割された領域に含まれる描画パターンの面積から当該領域内における荷電粒子ビームのショット時間を求め、このショット時間で当該分割された領域に荷電粒子ビームをショットし、所望パターンを描画するようにした荷電粒子ビーム描画方法において、当該分割された領域に実際には描画されないが、ショット時間を求めるために用いられるパターンデータを含めるようにした荷電粒子ビーム描画方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 541 M
, H01L 21/30 541 J
5F056AA04
, 5F056CA05
, 5F056CB05
, 5F056CB07
, 5F056CB15
, 5F056CC11
, 5F056CD03
, 5F056CD06
, 5F056CD09
, 5F056CD13
, 5F056EA03
, 5F056EA06
, 5F056FA08
