特許
J-GLOBAL ID：200903007995111918
ス-パ-ルミネッセントダイオ-ド
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046314
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244009
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】従来のス-パ-ルミネッセントダイオ-ドは、コンタクト層と上部クラッド層をストライプ状に形成しているため、屈折率導波型となりやすくSLDとしての高出力化には適さない。【解決手段】コンタクト層6だけをストライプとして形成し、ストライプ幅L1、長さL2、コンタクト層と上部クラッド層5界面から活性層4までの厚さL3、活性層の幅L4を規定している。また、ストライプは、光放出面と垂直方向に対し傾斜角ζを有し、傾斜角を、10°以下で規定したり、光放出端面と該光放出端面と反対側の端面には、それぞれ発光波長領域における反射率が5%以下の膜を形成している。この様に、コンタクト層のみを傾斜型ストライプとして形成しており、高注入領域においても利得導波型として、単一横モ-ドが保持できSLDとして高出力化が可能となった。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板上に、該基板と同一導電型のバッファ-層及び下部クラッド層と活性層と該半導体基板と反対の導電型上部クラッド層と該上部クラッド層より低抵抗の該上部クラッド層と同一導電型のコンタクト層とを順次積層したス-パ-ルミネッセントダイオ-ドにおいて、前記コンタクト層のみをストライプ状として形成したことを特徴とするス-パ-ルミネッセントダイオ-ド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01S 3/18 662
5F041AA04
, 5F041CA05
, 5F041CA14
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA39
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F073AA03
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073CA07
, 5F073DA05
