特許

J-GLOBAL ID：200903013556706301

オーミック電極構造およびそれを用いた発光素子

発明者： ピーター パーブルック ,  ジョン レニ- ,  波多腰 玄一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-348758
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193335
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】p型 II-VI族化合物半導体層と金属電極との間で(準)オーミックコンタクトが取れる発光素子を提供すること。【構成】 II-VI族化合物半導体系のLEDにおいて、p側Ti/Au合金電極17が、Zny Hg1-y Sx Se1-x コンタクト層16を介して、p型ZnSeクラッド層15にコンタクトしていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

p型 II-VI族化合物半導体層と、このp型 II-VI族化合物半導体層表面に設けられ、Cdz Zny Hg1-y-z Sx Se1-x (0≦x,y,z≦1,0≦y+z≦1)、Cuv Al1-v Sw Se1-w (0≦v,w≦1)、またはCu2-u Z(Zは、S、Se、Te、またはこれら元素の組み合わせ,0≦u≦0.2)からなるコンタクト層と、このコンタクト層上に設けられた金属電極とを具備してなることを特徴とするオーミック電極構造。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/43 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-230158   出願人：富士通株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-202080   出願人：三菱電機株式会社
• 化合物半導体装置およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-171659   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-004809   出願人：三菱化成株式会社, 三菱化成ポリテック株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-097861   出願人：三菱電機株式会社