特許
J-GLOBAL ID:200903008041378766

ガスセンサ素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高橋 祥泰 ,  岩倉 民芳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-033159
公開番号(公開出願番号):特開2006-010673
出願日: 2005年02月09日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
【課題】所定の温度依存性、圧力依存性を備えており、出力調整が容易なガスセンサ素子及びこれを製造する方法を提供すること。【解決手段】固体電解質体11と、該固体電解質体11の表面111に設けた被測定ガス側電極21及び基準電極22と、上記被測定ガス側電極21が対面する被測定ガス室23と、該被測定ガス室23に外部雰囲気から被測定ガスを導入すると共に拡散抵抗を備えた導通孔150を設けた導通孔形成層15を有する積層型のガスセンサ素子1を作製するに当たり、上記導通孔形成層15にレーザー照射を行うことで上記導通孔150を形成してなる。また、上記導通孔150はレーザー照射により形成してなる直径1〜50μmの貫通穴からなる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
固体電解質体と、該固体電解質体の表面に設けた被測定ガス側電極及び基準電極と、上記被測定ガス側電極が対面する被測定ガス室と、該被測定ガス室に外部雰囲気から被測定ガスを導入すると共に拡散抵抗を備えた導通孔を設けた導通孔形成層を有する積層型のガスセンサ素子を作製するに当たり、 上記導通孔形成層にレーザー照射を行うことで上記導通孔を形成してなることを特徴とするガスセンサ素子の製造方法。
IPC (1件):
G01N 27/41
FI (2件):
G01N27/46 325L ,  G01N27/46 325E
引用特許:
出願人引用 (4件)
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