半導体パッケージおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-506078
公開番号（公開出願番号）：特表2005-526398
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

半導体パッケージが、少なくとも1つの集積回路を含む活性面を有する半導体ウェハを含み、各集積回路が複数のボンドパッドを有する。少なくとも1つの硬化シリコーン部材が、活性面の少なくとも一部分を覆う。各ボンドパッドの少なくとも一部分がシリコーン部材によって覆われない。シリコーン部材は、-40〜150°Cの間で60〜280μm/m°Cの線膨張係数を有し、かつ25°Cで1〜300MPaの弾性率を有し、シリコーン部材は本発明の方法によって製造される。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの集積回路を備える活性面を有する半導体ウェハであって、各集積回路が複数のボンドパッドを有する半導体ウェハと、前記活性面の少なくとも一部分を覆う少なくとも1つの硬化シリコーン部材とを備え、各ボンドパッドの少なくとも一部分が前記シリコーン部材によって覆われず、前記シリコーン部材が、-40°C〜150°Cの間で60〜280μm/m°Cの線膨張係数を有し、かつ25°Cで1〜300MPaの弾性率を有し、前記シリコーン部材が、 (i)シリコーン堆積物を形成するために前記活性面上にシリコーン組成物を印刷するステップであって、前記シリコーン組成物が、 (A)1分子当たり平均で少なくとも2個の珪素結合アルケニル基を含有するオルガノポリシロキサンと、 (B)前記組成物を硬化するのに充分な濃度で、1分子当たり平均で少なくとも2個の珪素結合水素原子を含有するオルガノ水素シロキサンと、 (C)25m2/g未満の表面積を有する有効量の無機フィラーと、 (D)触媒量のヒドロシリル化触媒と、任意選択で、(E)ヒドロシリル化触媒阻害剤と、任意選択で、(F)本質的にR33SiO1/2シロキサンユニットおよびSiO4/2シロキサンユニットからなるオルガノポリシロキサン樹脂であって、各R3が、1〜20個の炭素原子を有する1価の炭化水素基および1価のハロゲン化炭化水素基から独立して選択され、オルガノポリシロキサン樹脂中のR33SiO1/2ユニットとSiO4/2ユニットのモル比が0.65〜1.9であるオルガノポリシロキサン樹脂とを含むステップと、 (ii)硬化シリコーン部材を形成するのに充分な時間にわたってシリコーン堆積物を加熱するステップとを含む方法によって製造される半導体パッケージ。

IPC (4件)：

H01L23/29 , C08L83/05 , C08L83/07 , H01L23/31

FI (3件)：

H01L23/30 R , C08L83/05 , C08L83/07

Fターム (23件)：

4J002CP04X , 4J002CP12W , 4J002DA036 , 4J002DE076 , 4J002DE096 , 4J002DE106 , 4J002DE116 , 4J002DE136 , 4J002DE146 , 4J002DE236 , 4J002DJ006 , 4J002DJ016 , 4J002DK006 , 4J002DL006 , 4J002FA086 , 4J002GQ00 , 4M109AA01 , 4M109AA02 , 4M109CA12 , 4M109DA04 , 4M109DA05 , 4M109EB02 , 4M109EB13

引用特許：

出願人引用 (11件)

米国特許第5171716号
米国特許第2676182号
米国特許第6168974B1号

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審査官引用 (5件)

特開昭64-022967
硬化性シリコーン組成物および電子部品
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-316001 出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-333528 出願人：株式会社日立製作所

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