特許

J-GLOBAL ID：200903008079565179

シリコン原料の供給方法及び単結晶シリコンの製造方法

発明者： 井上 邦春 ,  井上 二郎 ,  大西 肇 ,  山本 桐央
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158401
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344594
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】 追チャージやリチャージで単結晶シリコンを製造する場合の製造能率を上げる。追チャージやリチャージで供給される棒状の多結晶シリコンに未溶解部が生じる事態を回避する。【解決手段】 棒状の多結晶シリコン20をルツボ10内のシリコン融液11に上方から追加供給する際に、多結晶シリコン20を種結晶40により直接支持する。多結晶シリコン20を降下させてシリコン融液11に全量供給した後、引き続き、その種結晶40を用いて単結晶シリコン44の引上げを行う。

請求項（抜粋）：

CZ法により単結晶シリコンを引上げる前に、シリコン原料としての棒状の多結晶シリコンを種結晶で支持してルツボ内に上方から供給して溶解することを特徴とするシリコン原料の供給方法。

IPC (2件)：

C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502 A

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF08 ,  4G077EC02 ,  4G077ED01 ,  4G077PA01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体単結晶製造における供給素材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-140107   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 種結晶を用いたドープ剤の添加方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-290510   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体単結晶の製造方法およびこれに用いられる固体の半導体原料塊
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-120550   出願人：東芝セラミックス株式会社