特許
J-GLOBAL ID:200903008083816470

圧電素子及び圧電素子の製造方法。

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-003754
公開番号(公開出願番号):特開2007-188948
出願日: 2006年01月11日
公開日(公表日): 2007年07月26日
要約:
【課題】 圧電体層の変位を液体に伝達する場合の特性劣化を抑止することができる圧電素子及び圧電素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 圧電素子2は、圧電体層7と、この圧電体層7の変位を液体対象物に伝えるための変位伝達層6とを有している。変位伝達層6はSiO2を含有している。変位伝達層6に含有されるSiO2は、変位伝達層6の圧電セラミックに固溶せずに粒界に析出して、変位伝達層6の粒子間の隙間を埋めることになる。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
圧電体層と、前記圧電体層の変位を伝えるための変位伝達層とを有する圧電素子であって、 前記変位伝達層はSiO2を含有していることを特徴とする圧電素子。
IPC (5件):
H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/187 ,  H02N 2/00
FI (5件):
H01L41/08 C ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 N ,  H01L41/18 101D ,  H02N2/00 B
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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