特許
J-GLOBAL ID：200903008091367080

半導体装置およびその製造方法

発明者：
岡田 哲也

岡田 哲也 について

, 
吉村 充弘

吉村 充弘 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-285651
公開番号（公開出願番号）：特開2004-127968
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】従来、ショットキーバリアダイオードのVF、IR特性はトレードオフの関係にあり、低VF化を実現するにはリーク電流の増大が避けられない問題があった。【解決手段】ショットキー接合領域に、正六角形状のP+型半導体領域を複数設ける。互いの離間距離が等しくなるので、逆方向電圧印加時にはP+型半導体領域から空乏層が広がり、エピタキシャル層を埋め尽くす。つまり、ショットキー接合界面で発生したリーク電流がカソード側に漏れるのを遮断できる。高いリーク電流が発生していても空乏層により遮断できるので、VFとIRのトレードオフの関係が結果的に無くなり、IRを考慮することなく低VFを実現できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板と、 該基板上に設けられた一導電型エピタキシャル層と、 前記エピタキシャル層に複数設けられた第1の逆導電型半導体領域と、 前記複数の第1の逆導電型半導体領域を囲んで前記エピタキシャル層周囲に設けられた第2の逆導電型半導体領域と、 前記エピタキシャル層および前記第1の逆導電型半導体領域表面とショットキー接合を形成する金属層とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L29/47 ,  H01L29/872
FI (1件)：
H01L29/48 F
Fターム (15件)：
4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB21 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104CC03 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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