特許

J-GLOBAL ID：200903008092665956

半導体ウエーハの加工方法および半導体ウエーハ

発明者： 二本松 孝 ,  宮崎 誠一 ,  吉田 正彦 ,  工藤 秀雄
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241101
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233485
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 ウエーハのラッピング後の平坦度を維持しつつ、機械的加工歪み層を除去し、表面粗さを改善し、特に局所的な深いピットをより浅く、滑らかな凹凸形状を持ち、パーティクルや汚染の発生しにくいエッチング表面を有する化学エッチングウエーハとなる加工方法を提供する。【解決手段】 単結晶棒をスライスして得た半導体ウエーハを、少なくとも面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨および洗浄する工程からなる半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチング、特には反応律速型酸エッチングを行うものとし、その際、アルカリエッチングのエッチング代を、酸エッチングのエッチング代よりも大きくする方法であり、前記エッチング代を、アルカリエッチングでは10〜30μm、酸エッチングでは5〜20μmとする。

請求項（抜粋）：

単結晶棒をスライスして得た半導体ウエーハを、少なくとも面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨および洗浄する工程からなる半導体ウエーハの加工方法において、前記エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、アルカリエッチングのエッチング代を、酸エッチングのエッチング代よりも大きくすることを特徴とする半導体ウエーハの加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/304 622 N ,  H01L 21/304 622 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-279819   出願人：コマツ電子金属株式会社
• シリコンウエハのエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-088731   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 特開平3-001537