特許
J-GLOBAL ID：200903008118663353
シリコンウェーハの品質評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-272623
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083852
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】 薄膜層又はバルク基板のライフタイムと正相関のあるフォトルミネッセンス光強度を求め、薄膜層等内の不純物や欠陥等を正確に評価する。【解決手段】 励起光13の照射時に薄膜層11b内に発生したキャリアの定常状態における拡散分布を拡散方程式を解いて求め、この拡散分布からフォトルミネッセンス光強度の信号データを求める式(1)を導く。入射強度の異なる2種類の励起光13をシリコンウェーハ11の表面に照射して上記2種類のフォトルミネッセンス光16強度の信号データを測定する。上記2種類のフォトルミネッセンス光強度の信号データのうち強度の小さい信号データを所定倍した後に強度の大きい信号データから強度の小さい信号データを引くことにより、式(1)の第1項を消去して薄膜層からの発光分をより多く含む信号データを得るか、或いは第2項を消去してバルク基板からの発光分をより多く含む信号データを得る。
請求項（抜粋）：
励起光(13)をバルク基板(11a)及びこのバルク基板上に積層された薄膜層(11b)からなるシリコンウェーハの表面に断続的に照射し、前記励起光の前記シリコンウェーハへの照射の断続時に前記シリコンウェーハがフォトルミネッセンス光(16)を発し、前記フォトルミネッセンス光の強度を測定することによりシリコンウェーハの品質を評価する方法において、前記励起光(13)の照射時に前記薄膜層(11b)内に発生したキャリアの定常状態における拡散分布を拡散方程式を解いて求め、前記キャリアの定常状態における拡散分布からフォトルミネッセンス光強度の信号データ[PL]を求める式(1)を導き、入射強度の異なる2種類の励起光(13)をそれぞれ前記シリコンウェーハ(11)の表面に照射して2種類のフォトルミネッセンス光強度の信号データを測定し、前記2種類のフォトルミネッセンス光強度の信号データのうち強度の小さい信号データを所定倍した後に強度の大きい信号データから強度の小さい信号データを引くことにより、前記式(1)の第1項を消去して薄膜層(11b)からの発光分をより多く含む信号データ、或いは前記式(1)の第2項を消去してバルク基板(11a)からの発光分をより多く含む信号データを得るシリコンウェーハの品質評価方法。【数1】ここで、[PL]はフォトルミネッセンス光強度の信号データであり、Cは定数であり、Brは発光再結合係数であり、pは薄膜層内のキャリア濃度であり、pbはバルク基板内のキャリア濃度であり、τは薄膜層におけるキャリアのライフタイムであり、τbはバルク基板におけるキャリアのライフタイムであり、Dはキャリアの拡散係数であり、dは薄膜層の厚さであり、Iは励起光の入射強度である。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 M
, G01N 21/63 Z
2G043AA01
, 2G043AA03
, 2G043CA07
, 2G043EA01
, 2G043GA08
, 2G043GB21
, 2G043HA01
, 2G043HA03
, 2G043HA12
, 2G043JA01
, 2G043KA02
, 2G043KA05
, 2G043KA08
, 2G043KA09
, 2G043LA01
, 2G043NA01
, 4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106CA18
, 4M106CB11
, 4M106DH12
, 4M106DH32
