特許

J-GLOBAL ID：200903008122371189

シリコンウエハの2次研磨用スラリー組成物

発明者： ロー・ヒュン・スー ,  パーク・タエ・ウォン ,  リー・キル・サン ,  リー・イン・キョン
出願人/特許権者： チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 筒井 大和 ,  小塚 善高
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-558503
公開番号（公開出願番号）：特表2006-509364
出願日： 2003年07月30日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】半導体ウエハの2次研磨用スラリー組成物を提供する。【解決手段】半導体ウエハの2次研磨用スラリー組成物であって、平均粒径30〜80nmで2〜10重量%のコロイド状シリカと、0.5〜1.5重量%のアンモニアと、組成物のレオロジを変更するために0.2〜1重量%のヒドロキシアルキルセルロース基のポリマーと、0.03〜0.5重量%のポリオキシエチレンアルキルアミン基の非イオン性界面活性剤と、0.01〜1重量%の第4アンモニウムベースと、脱イオン水のバランスとを含むシリコンウエハの2次研磨用スラリー組成物を開示する。

請求項（抜粋）：

研削剤としての平均粒子直径30〜80nmで2〜10重量%のコロイド状シリカと、0.5〜1.5重量%のアンモニアと、0.2〜1重量%のヒドロキシアルキルセルロース基の水溶性ポリマー増粘剤と、0.03〜0.5重量%のポリオキシエチレンアルキルアミン・エーテル基の非イオン性界面活性剤と、0.01〜1重量%の第4アンモニウムベースと、脱イオン水のバランスとを含有することを特徴とする半導体ウエハの2次研磨用スラリー組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (4件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB02 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 研磨用組成物および表面処理用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-169428   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• 研磨用組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280592   出願人：株式会社フジミインコーポレーテッド
• シリコンウェハ用ラップ液およびラップ剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-178331   出願人：東京ファインケミカル株式会社
• 特開昭58-225177