特許

J-GLOBAL ID：200903008140820217

厚膜用化学増幅型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、厚膜レジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法

発明者： 鷲尾 泰史 ,  斎藤 宏二 ,  奥井 俊樹
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-254014
公開番号（公開出願番号）：特開2004-093836
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】高感度で、現像プロファイルが良好である上に、接続端子形成用材料として好適な厚膜形成に適する厚膜用化学増幅型ホトレジスト組成物、厚膜ホトレジスト積層体、これを用いたレジストパターンの製造方法及び接続端子の製造方法を提供すること。【解決手段】支持体上に、膜厚20〜150μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ホトレジスト組成物であって、(a)酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂及び(b)放射線照射により酸を発生するN-スルホニルオキシイミド化合物を含有する厚膜用化学増幅型ホトレジスト組成物。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

支持体上に、膜厚20〜150μmの厚膜ホトレジスト層を形成するために用いられる厚膜用化学増幅型ホトレジスト組成物であって、 (a)酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂及び(b)放射線照射により酸を発生するN-スルホニルオキシイミド化合物を含有することを特徴とする厚膜用化学増幅型ホトレジスト組成物。

IPC (3件)：

G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

FI (3件)：

G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R

Fターム (18件)：

2H025AA01 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB29 ,  2H025FA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ネガ型化学増幅型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-329785   出願人：東京応化工業株式会社
• 化学増幅ネガ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-218421   出願人：住友化学工業株式会社
• 化学増幅型ネガ型レジスト組成物およびネガ型レジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-289241   出願人：東京応化工業株式会社
• ネガ型レジスト基材及びそれを用いたイオン注入基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-344251   出願人：東京応化工業株式会社