特許

J-GLOBAL ID：200903008148723091

炭化ケイ素焼結体の製造方法

発明者： 大月 正珠 ,  和田 宏明 ,  高橋 佳智
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (1件)： 中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-231471
公開番号（公開出願番号）：特開平11-079847
出願日： 1997年08月27日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：

【要約】【課題】 高密度であって、且つ、導電性を有し、高熱伝導率を兼ね備えた高品位の、半導体工業、電子情報機器産業などの分野において有用な炭化ケイ素焼結体の効率のよい製造方法を提供する。【解決手段】 炭化ケイ素粉末と窒素源と非金属系焼結助剤との混合物を、2000〜2400°Cの温度条件で焼結する工程を含むか、又は、ケイ素源と、炭素源と、窒素源と、重合又は架橋触媒と、を均質に混合して得られた固形物を非酸化性雰囲気下で焼成して窒素を含有する炭化ケイ素粉末を製造する工程と、窒素を含有する炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物を、2000〜2400°Cの温度条件で焼結する工程とを含み、得られた焼結体の密度が2.9g/cm3 以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下であり、窒素を150ppm以上含有することを特徴とする。ここで、窒素源が加熱により窒素を生成する化合物であり、非金属系焼結助剤がレゾール型フェノールであることが好ましい。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素粉末と少なくとも1種以上の窒素源と非金属系焼結助剤との混合物を、2000〜2400°Cの温度条件で焼結する工程を含み、得られた焼結体の密度が2.9g/cm3 以上、体積抵抗率が1Ω・cm以下であり、窒素を150ppm以上含有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 炭化ケイ素のスパッタリングターゲット
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-519570   出願人：ザカーボランダムカンパニー
• 特開平2-199066
  
• 半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-306293   出願人：株式会社ブリヂストン
• 特開平2-199066