特許
J-GLOBAL ID：200903008153617470

紫外光照射装置及び方法

発明者：
神保 洋介

神保 洋介 について

, 
小林 紀雄

小林 紀雄 について


出願人/特許権者：
ホーヤ・ショット株式会社

ホーヤ・ショット株式会社 について


代理人 (1件)： 遠藤 恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298911
公開番号（公開出願番号）：特開2001-113163
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月24日
要約：
【要約】【課題】 被加工物の被加工面に対して紫外光を照射してその処理を行うための紫外光照射装置及び方法において、その処理の効率を向上し、処理時間を短くする。【解決手段】 本発明の紫外光照射装置10は、被加工物Tを大気中で支承する基台13と、波長175nm以下の真空紫外光を、被加工物Tの被加工面に照射するための紫外光照射光源11と、被加工物Tの被加工面上方の大気中の空間に、不活性ガス、好ましくは窒素、ヘリウム又はアルゴンの何れかを流入させる不活性ガス流入手段22を備える。本発明に従えば、前記空間には不活性ガスが流入され、これによって紫外光照射光源と被加工物の面との間の酸素濃度が下げられ、紫外光の光吸収が軽減される。
請求項（抜粋）：
被加工物の被加工面に対して紫外光を照射してその処理を行うための紫外光照射装置において、前記被加工物を大気中で支承する基台と、波長175nm以下の真空紫外光を、前記被加工物の被加工面に照射するための紫外光照射光源と、前記被加工物の被加工面上方の大気中の空間に、不活性ガスを流入させる不活性ガス流入手段と、を備えた紫外光照射装置。
IPC (3件)：
B01J 19/12 ,  B08B 7/00 ,  H01L 21/304 645
FI (3件)：
B01J 19/12 F ,  B08B 7/00 ,  H01L 21/304 645 D
Fターム (21件)：
3B116AA02 ,  3B116AA03 ,  3B116AB34 ,  3B116BB23 ,  3B116BB33 ,  3B116BC01 ,  3B116CD11 ,  4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075BA06 ,  4G075CA25 ,  4G075CA26 ,  4G075CA33 ,  4G075CA39 ,  4G075CA63 ,  4G075EB31 ,  4G075EB33 ,  4G075EC21 ,  4G075ED08 ,  4G075FB02 ,  4G075FB06
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開平3-201358
  • 高分子材料成形体の表面処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-146691   出願人：ウシオ電機株式会社
  • 特開昭62-274074
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