特許
J-GLOBAL ID:200903008154996903

熱処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-352856
公開番号(公開出願番号):特開平7-201769
出願日: 1993年12月29日
公開日(公表日): 1995年08月04日
要約:
【要約】【目的】 連結部での気密性を確保することで成膜条件を変化させないようにすることができる構造を備えた熱処理装置を提供すること。【構成】 周囲に配置された加熱源5によって加熱されるプロセスチューブ1と、このプロセスチューブ1に有するプロセスガス供給用石英管100と連結配置される石英管112とを有する熱処理装置において、石英管100、112の対向面に位置する管端部にそれぞれ設けられているフランジ部10A、12Aと、このフランジ部110A、112A同士の対向面間に配置されたシール部材114とを備え、少なくとも、プロセスチューブ1側の石英管100のフランジ部110Aが不透明石英によって構成されている。このため、加熱されるプロセスチューブの壁部および石英管の壁部を伝わる赤外線の進行あるいは透過を遮断してフランジ部での温度上昇を抑制する。したがって、フランジ部材の対向面間に位置するシール部材114の熱的な変性を防止して気密性を確保することができる。
請求項(抜粋):
対向する平面部を圧接させて気密にし、処理ガスを供給して熱処理する熱処理装置において、前記対向する平面部の少なくとも熱源に近い方を赤外線の通過を阻止する構成にしたことを特徴とする熱処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/31
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 炉芯管
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-344168   出願人:東芝セラミックス株式会社
  • 半導体製造装置の反応管
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-141599   出願人:国際電気株式会社

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