特許

J-GLOBAL ID：200903008166290771

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小川 哲也 ,  時岡 秀忠 ,  森川 和敏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-156912
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347211
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 一定方向に長い結晶粒より構成される多結晶シリコン膜を得る半導体装置の製造方法およびその多結晶シリコン膜を用いて形成した半導体装置を提供する。【解決手段】 エキシマレーザ光15を矩形断面のレーザビームとしそのレーザビームを用いて、シリコン膜10をレーザアニールするにあたり、エキシマレーザ光を直線偏光状態および楕円偏光状態のいずれかにする工程と、レーザビームをシリコン膜に照射する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

エキシマレーザ光を矩形断面のレーザビームとしそのレーザビームを用いて、シリコン膜をレーザアニールするにあたり、前記エキシマレーザ光を、直線偏光状態および楕円偏光状態のいずれかにする工程と、前記レーザビームを前記シリコン膜に照射する工程とを備える、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (20件)：

5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA14 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP23 ,  5F110PP24 ,  5F110PP40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-155891   出願人：株式会社東芝
• 薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-046228   出願人：松下電器産業株式会社