特許

J-GLOBAL ID：200903034111164832

薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置とその製造方法

発明者： 小川 一文 ,  足立 和泰
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046228
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243970
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタを駆動回路部に使用する液晶表示装置において、大画面の表示の際に駆動回路に問題点が生じない高性能な薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置を提供することを主たる目的とする。【解決手段】 透明な絶縁性基板11上に形成された多結晶シリコン薄膜を能動領域とする薄膜トランジスタにおいて、多結晶シリコン薄膜の結晶粒が面内において特定の方向に異方性成長させてシリコンの結晶粒を細長い形状に成長させるとともに、薄膜トランジスタのゲート長方向を前記結晶粒の長手方向とほぼ平行になるように作製し、TFTの能動領域内(チャネル内)のキャリアの移動度を向上させる。

請求項（抜粋）：

透明な絶縁性基板上に形成された多結晶シリコン薄膜を能動領域とする薄膜トランジスタであって、前記多結晶シリコン薄膜の結晶粒が面内において特定の方向に異方性成長されており、かつ、薄膜トランジスタのゲート長方向と前記結晶粒の長手方向がほぼ平行であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 612 B

Fターム (53件)：

2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052FA00 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG45 ,  5F110PP03 ,  5F110PP24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体膜のレーザーアニール方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-217424   出願人：三洋電機株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-348096   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280168   出願人：株式会社日立製作所