特許
J-GLOBAL ID：200903008175734054

半導体装置およびその製造方法

発明者：
田村 浩之

田村 浩之 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-316777
公開番号（公開出願番号）：特開2003-125295
出願日： 2001年10月15日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 インターライン方式のCCD、CMOSセンサー等の光学系の半導体素子で、かつ、半導体素子表面に透明樹脂層を形成できない場合は、中空構造のパッケージ内に半導体素子を内蔵しなければならない課題があった。【解決手段】 本発明の半導体装置では、アイランド221、外部電極222から成る導電パターン22上に半導体素子24を固着し、半導体素子24と導電パターン22とを金属細線25で電気的に接続する。そして、半導体素子24等は枠状部26、ガラス板29等より成る凹部28内に位置することで中空構造を実現する。更に、ガラス板29の全表面には所望の光の分光特性を得る透明樹脂が塗布されている。その結果、ガラス板29と半導体素子24との間に空気層を存在させ、撮像用レンズとのレンズ効果も向上させることができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも半導体素子のアイランドおよび外部電極を形成する導電パターンより成る搭載部が形成された導電部材と、前記導電部材上に前記導電パターンを囲むように設けられた絶縁性樹脂より成る枠状部と、前記所望の前記導電パターンの前記アイランドに固着する半導体素子と、前記各搭載部上に固着された前記半導体素子を気密中空部に位置するように前記枠状部上に接着された透明板とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H04N 5/335 ,  H01L 23/02 ,  H01L 25/16 ,  H01L 27/14
FI (4件)：
H04N 5/335 V ,  H01L 23/02 J ,  H01L 25/16 A ,  H01L 27/14 D
Fターム (21件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118GC11 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  4M118HA02 ,  4M118HA19 ,  4M118HA24 ,  4M118HA25 ,  4M118HA30 ,  5C024CY47 ,  5C024CY49 ,  5C024EX22 ,  5C024EX23 ,  5C024EX25 ,  5C024EX43 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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