特許

J-GLOBAL ID：200903008180326177

半導体装置

発明者： 竹内 淳
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-139056
公開番号（公開出願番号）：特開2007-309782
出願日： 2006年05月18日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】本発明は、内部使用電源電圧を超える電圧をパッドに印加した場合でもオフ状態を維持でき、また内部電源とパッドとの間を中間電位で接続する場合でも十分なオン状態を実現できるパッド・スイッチを提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置は、パッドと、内部電源線と、内部電源線とパッドとをソース・ドレイン間のチャネルで電気的に接続可能に結合するMOSトランジスタを含むパッド・スイッチと、MOSトランジスタのゲート端子及びバックゲート端子の少なくとも一方の電気的接続を制御する制御回路を含み、制御回路はゲート端子及びバックゲート端子の少なくとも一方をパッドに電気的に接続可能に構成されることを特徴とする。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

パッドと、 内部電源線と、 該内部電源線と該パッドとをソース・ドレイン間のチャネルで電気的に接続可能に結合するMOSトランジスタを含むパッド・スイッチと、 該MOSトランジスタのゲート端子及びバックゲート端子の少なくとも一方の電気的接続を制御する制御回路 を含み、該制御回路は該ゲート端子及びバックゲート端子の少なくとも一方を該パッドに電気的に接続可能に構成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G01R 31/28 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

G01R31/28 V ,  H01L27/04 T ,  H01L27/04 F

Fターム (15件)：

2G132AA08 ,  2G132AB01 ,  2G132AC03 ,  2G132AD01 ,  2G132AK01 ,  2G132AK07 ,  2G132AL05 ,  5F038BE04 ,  5F038BG09 ,  5F038CD04 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038DF17 ,  5F038DT02 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭63-257242号公報
  
• パッケージ状態で直流電圧テスト可能な半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-082635   出願人：三星電子株式会社
• 特開平4-22000号公報
  

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-298326   出願人：三菱電機株式会社
• トランスミッション・ゲート回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-123554   出願人：株式会社東芝