特許
J-GLOBAL ID：200903008232930582
強磁性トンネル効果素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-260366
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091666
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 下部強磁性体層の酸化を防ぐとともに、酸化しきれないトンネルバリア層の原材料が下部強磁性体層とトンネルバリア層との間に残ることを防ぐことによって、大きな磁気抵抗変化率を実現する。【解決手段】 本発明に係る強磁性トンネル効果素子10は、基板88上に、下部強磁性体層82、耐酸化層12、トンネルバリア層84及び上部強磁性体層86が、この順に積層されてなるものである。本発明によれば、下部強磁性体層82と酸化物からなるトンネルバリア層84との間に耐酸化層12を挟んだことにより、トンネルバリア層84の原材料を酸化させるときに、その酸化がトンネルバリア層84の原材料と耐酸化層12との界面で止まるので、下部強磁性体層82の酸化を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
基板上に、下部強磁性体層、トンネルバリア層及び上部強磁性体層がこの順に積層されてなる、強磁性トンネル効果素子において、前記トンネルバリア層が酸化物からなり、前記下部強磁性体層と前記トンネルバリア層との間に耐酸化層が設けられたことを特徴とする強磁性トンネル効果素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (4件)：
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BA21
, 5D034DA07
