特許

J-GLOBAL ID：200903008252730229

相変化メモリ装置

発明者： 戸田 春希
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-569564
公開番号（公開出願番号）：特表2006-514392
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：

相変化メモリ装置は、基板と、前記基板上に積層されて、それぞれに相変化により決まる抵抗値をデータとして記憶する複数のメモリセルがマトリクス配列された複数のセルアレイと、前記複数のセルアレイ内の近接する二つメモリセルをペアセルとして選択して、その一方を高抵抗値、他方を低抵抗値状態に書き込む書き込み回路と、前記ペアセルの相補的な抵抗値状態を1ビットデータとして読み出す読み出し回路とを有する。

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に積層されて、それぞれに相変化により決まる抵抗値をデータとして記憶する複数のメモリセルがマトリクス配列された複数のセルアレイと、 前記複数のセルアレイ内の近接する二つメモリセルにより構成されるペアセルに、その一方を高抵抗値、他方を低抵抗値状態に書き込む書き込み回路と、 前記ペアセルの相補的な抵抗値状態を1ビットデータとして読み出す読み出し回路とを有する ことを特徴とする相変化メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 13/00 ,  H01L 27/105

FI (2件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 448

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA20 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ユニバーサルメモリ素子を使用するシステムを有するユニバーサルメモリ素子と、同メモリ素子を読み取り、書き込み、またプログラムするための装置と方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-611284   出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-332280   出願人：三洋電機株式会社
• 垂直スタック型フィールド・プログラマブル不揮発性メモリおよびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-583042   出願人：マトリックスセミコンダクターインコーポレーテッド