ドライエッチング装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256799
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124901
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】メタルドライエッチング装置において、ウエハの腐食の原因とされている大気が、エッチングとウエットリンス処理過程においてウエハに接触しないことを目的とする。【構成】エッチング室とリンス室の間にロードロック室10を介し、リンサー40内を常時窒素でパージする。また、リンス水に脱酸素水を用いる。さらにリンス液に脱塩素作用を有すチオ硫酸塩水溶液を用いることができる。さらにアッシング室を付加することができる。

請求項（抜粋）：

内部にウエハハンドリングアームを有するロードロック室と、前記ロードロック室の奥に配置されたエッチング室と、前記ロードロック室の奥に配置され内部に不活性ガスを充満させたスピンリンサー室とを備えたドライエッチング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/68

FI (2件)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 G

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-014222
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-037994 出願人：株式会社東芝
特開平1-302727

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