特許

J-GLOBAL ID：200903008284435601

レーザ加工方法及び半導体チップ

発明者： 坂本 剛志 ,  村松 憲一
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  石田 悟
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-375695
公開番号（公開出願番号）：特開2007-175961
出願日： 2005年12月27日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】 基板と、基板の表面に形成された複数の機能素子とを備える加工対象物を、その基板が厚い場合であっても、切断予定ラインに沿って短時間で精度良く切断することを可能にするレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 基板4と、基板4の表面3に形成された複数の機能素子15とを備える加工対象物1の基板4の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射することにより、1本の切断予定ライン5に対して、少なくとも1列の分断改質領域72、分断改質領域72と基板4の表面3との間に位置する少なくとも1列の品質改質領域71、及び分断改質領域72と基板4の裏面21との間に位置する少なくとも1列のHC改質領域73を形成する。このとき、切断予定ラインに沿った方向において、分断改質領域72の形成密度を品質改質領域71の形成密度及びHC改質領域73の形成密度より低くする。【選択図】 図19

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の表面に形成された複数の機能素子とを備える加工対象物の前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる改質領域を前記基板の内部に形成するレーザ加工方法であって、 1本の前記切断予定ラインに対して、少なくとも1列の第1の改質領域、前記第1の改質領域と前記基板の表面との間に位置する少なくとも1列の第2の改質領域、及び前記第1の改質領域と前記基板の裏面との間に位置する少なくとも1列の第3の改質領域を形成する工程を含み、 前記切断予定ラインに沿った方向における前記第1の改質領域の形成密度は、前記切断予定ラインに沿った方向における前記第2の改質領域の形成密度及び前記第3の改質領域の形成密度より低いことを特徴とするレーザ加工方法。

IPC (3件)：

B28D 5/00 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40

FI (3件)：

B28D5/00 Z ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40

Fターム (12件)：

3C069AA01 ,  3C069BA08 ,  3C069CA06 ,  3C069EA01 ,  3C069EA02 ,  4E068AD00 ,  4E068AE00 ,  4E068CA09 ,  4E068CA11 ,  4E068CA13 ,  4E068CA15 ,  4E068DA10

引用特許：

出願人引用 (4件)

• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278663   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• レーザダイシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-225395   出願人：株式会社デンソー
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-093213   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-093204   出願人：浜松ホトニクス株式会社

審査官引用 (3件)

• レーザダイシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-225395   出願人：株式会社デンソー
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-093213   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• レーザ加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-093204   出願人：浜松ホトニクス株式会社