特許
J-GLOBAL ID：200903008285685300

保護層を含む有機半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
▲やん▼東航

▲やん▼東航 について

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袁劍鋒

袁劍鋒 について

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嚴鉉俊

嚴鉉俊 について


出願人/特許権者：
中國科學院長春應用化學研究所

中國科學院長春應用化學研究所 について


代理人 (4件)： 宮崎 昭夫 ,  金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-017237
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266267
出願日： 2004年01月26日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】 本発明は、保護層を含む有機電界効果トランジスタ素子と上記保護層を含む有機電界効果トランジスタの製造方法を提供することも目的とする。【解決手段】 本発明の電界効果トランジスタは、基板1と、基板1の上に形成されるゲート電極2とを備える保護層を含む有機電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁層3が、基板1とゲート電極2との上に形成され、第1半導体層4が、ゲート絶縁層3の上に形成され、第2半導体層6が、第1半導体層4の上に形成され、保護層5が、第2半導体層6の上に形成され、ソース・ドレイン電極7が、保護層5のエッチング孔個所と第1半導体層4又は第2半導体層6との上に形成されることを特徴とする保護層を含む有機半導体型電界効果トランジスタである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板1と、基板1の上に形成されるゲート電極2とを備える保護層を含む有機半導体型電界効果トランジスタにおいて、ゲート絶縁層3が、基板1とゲート電極2との上に形成され、第1半導体層4は、前記ゲート絶縁層3の上に形成され、第2半導体層6が、前記第1半導体層4の上に形成され、保護層5が、前記第2半導体層6の上に形成され、ソース・ドレイン電極7は、前記第1半導体層4又は前記第2半導体層6と前記保護層5のエッチング孔個所に形成されている、ことを特徴とする保護層を含む有機半導体型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (4件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/28
Fターム (21件)：
5F110AA14 ,  5F110AA17 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HL02 ,  5F110HL22 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 中国公開特許CN1398004A号公報
審査官引用 (6件)
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