特許
J-GLOBAL ID：200903094042198455

有機薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者：
平井 桂

平井 桂 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-045573
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324202
出願日： 2003年02月24日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 煩雑な製造工程を経ることなく高精度のパターニングを低コストで行うことができ、キャリア移動度が高く、ゲート電圧が低下でき、スイッチングON状態での電流値が高い、従って電流のON/OFF値が高い、駆動周波数が高い有機薄膜トランジスタを得ることにあり、また、製造工程でのトランジスタの特性の低下を抑えることのできる有機薄膜トランジスタの製造方法を得ることにある。【解決手段】 ソース電極、ドレイン電極が、少なくとも絶縁層に形成され、有機半導体チャネルに接するスルーホール部分から形成された有機薄膜トランジスタ。
請求項（抜粋）：
ソース電極、ドレイン電極が、少なくとも絶縁層に形成され、有機半導体チャネルに接するスルーホール部分から形成された有機薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/00
FI (6件)：
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/28
Fターム (52件)：
5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110AA17 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110GG53 ,  5F110GG54 ,  5F110GG55 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN05 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ14
引用特許：
審査官引用 (4件)
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