特許
J-GLOBAL ID：200903008299156377
酸化物超電導体及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-081956
公開番号（公開出願番号）：特開平11-278923
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：
【要約】【課題】 磁気特性に優れた大型の酸化物超電導体及びそれをを歩留まり良く製造する方法を提供する。【解決手段】 RE化合物(REはYを含む希土類元素)、Ba化合物及びCu化合物を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してREーBaーCuーO系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、前記原料混合体を成形した成形体を支えるために該原料混合体に直接接触する介在物がBa化合物で構成されていて、且つ該介在物中にRE元素(REはYを含む希土類元素)を50モル%以上含まない材料を用いることにより、基盤との反応を抑制し、超電導結晶間の方位のズレが±5 ゚以下となるように配向し、かつ、超電導結晶のc軸方向のRE元素の組成ズレが厚さ15mm以上に渡って±1.5モル%以内である酸化物超電導体を得る。
請求項（抜粋）：
REーBaーCuーO系超電導結晶間の方位のズレが±5 ゚以下となるように配向し、かつ、前記超電導結晶のc軸方向の平均的な方向のRE元素(REはYを含む希土類元素)の組成ズレが該方向の厚さ15mm以上に渡って±1.5モル%以内(ただし、組成はRE、Ba、Cuのみのモル比で示す)であることを特徴とする酸化物超電導体。
IPC (4件)：
C04B 35/45 ZAA
, C01G 1/00
, H01B 12/00 ZAA
, H01L 39/00 ZAA
C04B 35/00 ZAA K
, C01G 1/00 S
, H01B 12/00 ZAA
, H01L 39/00 ZAA S
