特許
J-GLOBAL ID：200903008324938369

平坦化のための半導体装置及びその製造方法

発明者：
愼 ▲こう▼ 縡

愼 ▲こう▼ 縡 について

, 
具 珠 善

具 珠 善 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245202
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186526
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 平坦化のための半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 高い段差が形成された半導体基板に第1膜及び第2膜をデポジットし、段差が低い領域の第2膜を電子ビームを通じて選択的に硬化させた後、湿式食刻を施すことによって段差がある半導体基板に形成された層間絶縁膜を平坦化しうる。これにより、電子ビームにより硬化が施された第2膜、例えばHSQを材質とするSOG膜は、湿式食刻過程で硬化が施されない膜質に比べて顕著に食刻率が低くなるため、層間絶縁膜に対する容易な平坦化が遂行できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された高い段差領域を有するセル領域と、前記半導体基板の他の領域に形成された低い段差領域を有する周辺領域と、前記セル領域と周辺領域上に形成された第1膜と、前記第1膜上に一つの膜質より形成され、周辺領域上だけ硬化してセル領域上にある膜質と食刻率が違う特性を有する第2膜とを含むことを特徴とする平坦化のために半導体製造工程に応用される半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L 27/10 681 F ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/30 502 A ,  H01L 27/10 621 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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