特許
J-GLOBAL ID：200903098201454846

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者：
斉藤 政良

斉藤 政良 について

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森澤 拓

森澤 拓 について

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平沢 賢斉

平沢 賢斉 について

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小林 伸好

小林 伸好 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-040943
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232538
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】段差を有する基板の標高の低い部分に絶縁膜を選択的に配置して、平坦化を行う。【解決手段】感光性シリコン樹脂膜を形成し、標高の低い部分(周辺回路部)に選択的な短波長紫外光照射と未照射部の除去とを行い、その後、形成膜の膜改質を行って緻密なシリコン酸化膜417を得て、そのまま多層配線の層間絶縁膜とする。【効果】ホトレジストをマスクとしたドライエッチング工程が不要なので、工程を簡略でき、高信頼性デバイスを低コストで実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基体主面に複数の半導体素子領域が形成され、その基体主面上において層間絶縁膜を介した多層の配線が形成されて成る半導体集積回路装置であって、前記基体主面の第1主面部及び第2主面部にはそれぞれ第1配線部及び第2配線部が形成されて、前記第1配線部が前記第2配線部よりも高い標高差を有し、前記第2配線部ほぼ全体に感光処理された層間絶縁膜が選択的に形成され、前記第1配線部上部及び前記層間絶縁膜が選択的に設けられた第2配線部上部に連続し、その表面が平坦面を持つ他の絶縁膜が形成され、前記他の絶縁膜上において複数の上部配線が形成されて成ることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (5件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
H01L 27/10 681 F ,  H01L 21/316 H ,  H01L 21/90 D ,  H01L 21/95
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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