特許

J-GLOBAL ID：200903008349686488

強誘電体記憶素子

発明者： 荻本 泰史 ,  長田 昌也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-190409
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055919
出願日： 1994年08月12日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 フッ化物系強誘電体を使用する構造的に安定な強誘電体記憶素子の提供。【構成】 強誘電体記憶素子において、BaMF4 [但し、MはMg、Zn、Mn、Fe、Co及びNiからなる元素]で表されるフッ化物系強誘電体3と半導体単結晶基板1の間にバッファ層2を形成し、バッファ層2としては(Åx B1-x )F2 (0≦x≦1)[但し、A及びBはそれぞれCa、Sr、Ba及びMgからなるアルカリ土類金属群の元素]で表されるフッ化物絶縁体層か、(Ax B1-x )F2 /(Cy D1-y )F2 (0≦x≦1)(0≦y≦1)[但し、A、B,C及びDはそれぞれCa、Sr、Ba及びMgからなるアルカリ土類金属群の元素]で表される2層からなるフッ化物絶縁体層を用いる。また、AF3 [但し、AはLa、Nd、Ce及びErからなる稀土類金属群から選択される元素]で表されるフッ化物絶縁体層も、配向性バッファ層として用いられる。

請求項（抜粋）：

下記式(I)BaMF4 (I)[但し、MはMg、Zn、Mn、Fe、Co及びNiからなる群から選択される元素]で表されるフッ化物系強誘電体と半導体単結晶基板の間にバッファ層を形成してなることを特徴とする強誘電体記憶素子。

IPC (7件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  C30B 29/12 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-036424   出願人：ローム株式会社
• 強誘電体層を有する半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-306561   出願人：ローム株式会社