特許
J-GLOBAL ID：200903008375335677
液状不純物源材料及びこれを使用した半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-357572
公開番号（公開出願番号）：特開2005-123431
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2005年05月12日
要約：
【課題】 液状不純物源を使用してn型拡散領域を良好に形成することが困難であった。【解決手段】 極性有機溶剤や水に可溶な酸性有機リン酸モノエステルポリマー又は酸性有機リン酸ジエステルポリマーからなる酸性有機リン酸エステルポリマーと極性有機溶剤と水とから成る液状不純物源材料を用意する。この液状不純物源材料をシリコン半導体基板1上に塗布して液状不純物源層2を形成し、これを乾燥させる。次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱しリンを含むシリコン酸化膜を形成する。しかる後、シリコン酸化膜を形成した温度よりも高い温度でシリコン半導体基板1を加熱してリンを半導体基板1に拡散する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板に不純物としてリンを拡散する時に使用する液状不純物源材料であって、
酸性有機リン酸エステルポリマーと、極性有機溶剤と水との内のいずれか一方又は両方から成る溶剤とを含むことを特徴とする溶液不純物源材料。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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