特許
J-GLOBAL ID：200903008382229360
強誘電体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310491
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154834
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：
【要約】【課題】 電極膜剥離等の素子破損や特性不良を抑制するとともに、強誘電体膜形成時の組成ずれを抑制し、歩留まりの向上した強誘電体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に、密着層、下部電極、強誘電体膜、および上部電極を順次配置した強誘電体素子において、前記密着層として、下部電極を構成する材料と酸素からなる層を設ける。アルゴンガス雰囲気中で酸化物をターゲットとしたスパッタリング法により強誘電体膜を形成し、引き続き酸素を含むアルゴンガス雰囲気中で前記酸化物をターゲットとしたスパッタリング法により強誘電体膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板、並びに前記基板上に順次配置した密着層、下部電極、強誘電体膜、および上部電極を具備し、前記密着層が前記下部電極を構成する材料と酸素からなる強誘電体素子。
IPC (5件)：
H01L 37/02
, G01J 1/02
, G01L 1/16
, H01L 41/09
, H01L 41/22
H01L 37/02
, G01J 1/02 Y
, G01L 1/16
, H01L 41/08 C
, H01L 41/22 Z
